為了在非液相中使用分散的石墨烯粉體，有不同的制備方法。通過碳化硅晶體中的真空。在加熱過程中，碳通過鎳層擴散并在表面形成石墨烯粉體或石墨層，這取決于加熱速率。得到的石墨烯粉體比沒有N的簡單SiC晶體生長產生的石墨烯粉體更容易從表面分離。獲得石墨烯粉體的一種完全不同的方法是直接在表面上種植石墨烯粉體。因此，獲得的層的大小不取決于初始石墨晶體。要么碳已經存在于基底中，要么必須通過化學氣相沉積(CVD)添加。

　　液相剝離原理也可用于剝離氧化石墨。氧化石墨烯粉體是一種親水分子，可以通過聲波或攪拌溶解在水中。結果，這些層帶負電，因此被電排斥抑制。離心后，氧化石墨烯粉體必須重新過濾，溶液通過膜腔靜脈泵吸入。石墨烯粉體片被制成石墨烯紙濾餅。石墨烯在表面上的沉積可以通過一種簡單的滴注方法完成，即將溶液滴到襯底上。為了實現更均勻的涂覆方法，溶液通過離心力分散。在涂層的情況下，將溶液噴灑在樣品上進行制備。

　　化學氣相沉積化學氣相淀積是一種眾所周知的工藝，其中基材暴露于氣態化合物。這些化合物在表面分解形成薄膜，使其成為副產品。

　　有許多不同的方法可以實現這一點，例如用燈絲或等離子體加熱樣品。石墨烯可以增加暴露的鎳膜氣體混合物H2、CH4和Ar 1000°C。甲烷在表面分解，導致水基因蒸發。碳擴散至鎳。原子層冷卻后，石墨烯層在表面生長，類似于鎳擴散法。因此，平均層數取決于鎳的厚度，可以通過這種方式控制。此外，石墨烯的形狀也可以控制。這些石墨烯層可以通過聚合物載體轉移，聚合物載體將附著在石墨烯的頂部。鎳蝕刻后，石墨烯可以覆蓋在所需的基底上，聚合物載體被剝離或蝕刻。這樣，可以將幾層石墨烯沖壓在一起以降低電阻。由于旋轉的rel在其他層上，渦輪層石墨沒有伯納堆，因此單個石墨烯層很難改變其電子性質，因為它們與其他層幾乎沒有相互作用。

　　使用銅代替鎳作為生長基底，結果是單層石墨烯的含量小于5%，石墨烯不會隨時間增加。這種行為應該是由于碳水化合物的溶解度低。實驗人員開發了一種30英寸的石墨烯。使用CVD，在銅箔上生長30英寸石墨烯層，然后通過軋制工藝轉移到PET膜上。CVD還允許石墨烯摻雜，如HNO3.以降低以太網電阻。實驗者在PET薄膜上堆疊了四層摻雜石墨烯，制成了功能齊全的觸摸屏面板。它具有90%的光傳輸率，每平方米約30個電阻器，優于ITO。

　　總結了不同的方法及其性能。總之，去角質方法的優勢在于它們提供了非常高質量和純度的石墨烯，并且由于其復雜性低，它們是實驗室研究的理想材料。然而，獲得的價值也可以是工業生產。另一方面，在表面生長的石墨烯可以使石墨烯層的大小或多或少無限大，并且高度可控，這使得這些方法可用于工業生產。然而，純度不是很高，這使得這些方法不適合石墨烯的實驗室研究。由于CVD是一種已經用于工業的方法，石墨烯的外延生長是一種技術。